隨著LED應(yīng)用環(huán)境的多元復(fù)雜化，LED下游商對(duì)上游晶粒品質(zhì)的要求日趨嚴(yán)苛，如LED耐靜電測(cè)試(Electrostatic Discharge，ESD)的電壓值就從原本4kV要求，逐漸提高到8kV，以容忍戶外的惡劣環(huán)境。所以高壓LED耐靜電測(cè)試為目前LED晶粒點(diǎn)測(cè)機(jī)中，急待開發(fā)的關(guān)鍵模組。